Xilinx携手NXP降低无线基础架构无线电的资本和运营支出

赛灵思推出与NXP Gen9射频功率晶体管兼容的新一代CFR和DPD IP，

将功率晶体管效率提高到50%

2014年11月25日，中国北京 - All Programmable 技术和器件的全球领先企业赛灵思公司（Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX)）和恩智浦半导体公司（NXP Semiconductors (NASDAQ: NXPI)）联手宣布，他们将携手降低无线基础架构无线电的资本支出 （CapEx）和运营支出成本 （OpEx）。两家公司一直保持通力合作，致力于让客户能够快速方便地将赛灵思最新峰值因数抑制(CFR)和数字预失真(DPD) SmartCORE™IP 与NXP的Gen9 LDMOS射频高效功率放大器技术完美集成。NXP先进的功率放大器器件和赛灵思的All Programmable器件及无线电IP的无缝组合，使客户能够实现更小、更轻、可靠性更高的无线电设备，非常适用于新一代无线基础架构设备。

NXP基站功率放大器营销总监Christophe Cugge 表示：“像这样的产业合作对那些致力于减少新一代蜂窝基础架构无线电资本支出和运营支出的努力至关重要。基于我们的共同努力，已经推出了一款具有更高单位效率、更低成本和更高可靠性的解决方案。”

高效功率放大器实现了同样出色的无线电输出功率，而且通过使用额定功率较低的设备以及减少冷却机械装置数量，还能够节省资本支出。赛灵思的Zynq®-7000 All Programmable SoC是业界首款支持最新一代CPRI（线路速率为10.1 Gbps）和JESD204B（线路速率为12.5 Gbps）标准的软硬件可编程器件。Zynq器件还支持CFR和DPD等高级信号处理算法与ARM®处理器控制层软件的集成， 可满足远程无线电、分布式天线系统和中继器产品等的需求。此外，较小的散热片能够减少电源的复杂性和重量，有助于设计人员在单个芯片上实现完整的数字无线电。

          除了以单个RAT配置支持MC-GSM跳频或以多个RAT配置支持高达75 MHz的射频带宽外，赛灵思的最新CFR和DPD IP现在还能以单个RAT配置支持高达100 MHz的射频带宽。赛灵思的无线电IP结合NXP面向小型、高效、高性能LTE基站的Gen9系列射频功率晶体管，使客户能够在更短的时间内用更少的资源实现先进的无线电基础架构，同时在2.6GHz带宽下将功率放大器效率提高到50%。

赛灵思公司无线通信总监David Hawke 表示：“ 赛灵思和NXP将继续在未来的技术标准如在LTE-A和5G等方面开展合作，并通过对无线电算法和功率放大器技术最高效、易于采用的整合以扩大系统的影响力。”

关于 NXP Gen9射频功率晶体管

NXP的Gen9系列射频功率晶体管专门用于小型、高效、高性能LTE基站。 建立在前代LDMOS良好的信誉的基础上，Gen9能够以行业最低成本为射频功率放大器提供前所未有的效率和出色的线性化功能。这些突破性创新器件表示LDMOS晶体管的性能更上层楼，将Doherty的应用性能提升5%。

供货情况

赛灵思PC-CFR V6.0 SmartCORE IP解决方案现在已经开始面向早期试用客户供货，有望在2015年1月开始全线供货。赛灵思DPD V7.0 SmartCORE IP 也开始面向早期试用客户供货，并有望在2015年1月开始全线供货。如需了解更多信息，请访问下列网址：china.xilinx.com/applications/wireless-communications/index.htm 和 china.xilinx.com/esp/wireless/refdes_listing.htm。