Xilinx扩大16nm UltraScale+ 产品路线图 为数据中心新增加速强化技术

结合16nm UltraScale+可编程逻辑与高带宽显存（HBM） 存储器和新型加速器互联技术，满足异构计算要求

赛灵思公司 (Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX))今天宣布扩展其16nm UltraScale+™ 产品路线图，面向数据中心新增加速强化技术。其成品将可以提供赛灵思业界领先的16nmFinFET+ FPGA与集成式高带宽存储器 (HBA) 的强大组合优势，并支持最近刚刚宣布推出的加速缓存一致性互联 (CCIX) 技术。CCIX由7家业界龙头企业联合推出，旨在实现与多处理器架构协同使用的加速架构。增强型加速技术将支持高效的异构计算，致力于满足数据中心工作负 载最苛刻的要求。新产品在许多其他需要高内存带宽的高计算强度应用中也将得到很好的应用。

基于台积 (TSMC)公司业经验证的 CoWoS 工艺而打造的赛灵思HBMFPGA，可通过提供比分离式存储器通道高达10倍的的存储器带宽大幅提升加速能力。HBM技术支持封装集成的多Tb存储器带 宽，能最大限度地降低时延。为进一步优化数据中心工作负载，新型CCIX技术通过让采用不同指令集架构的处理器与赛灵思 HBM FPGA等加速器协同分享数据，推动高效异构计算。

赛灵思执行副总裁兼可编程产品总经理Victor Peng指出：“采用我们第二代3DIC技术的单个20nm工艺芯片就已经可以达到190 亿个晶体管，我们现在正在为数据中心加速和其他高计算强度设计打造第三代3DIC突破性技术。一旦这一技术与新一代CCIX加速架构和我们的软件定义 SDAccel™开发环境相结合，将为加速计算、存储和网络应用提供一个全新的高密度灵活型平台。”

赛灵思已经准备好与业界领先的超大规模数据中心客户联手协作，共同打造最佳配置和产品。