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40nm与45nm工艺节点下的功耗分析

发布者:jackzhang 时间:2010-06-01 20:09:16

作者:Matt Klein
在40nm和45nm工艺节点,功耗已经成为FPGA选择的头号因素,本白皮书揭示了赛灵思如何设计最新推出的Spartan®-6 (45 nm)和Virtex®-6 (40 nm) FPGA系列,使其动态功耗比其上代 Spartan-3A和 Virtex-5 器件降得更多。如此大幅度地降低功耗需要很多工程创新,在40nm和45nm节点,晶体管呈指数级漏电流增长,使静态功耗成为主要挑战,此外,对高性能的追求驱使内核时钟频率更高,又增加了动态功耗,本白皮书揭示了了赛灵思如何在Spartan-6 和Virtex-6 FPGA上通过工程创新解决了这些挑战。

40nm与45nm工艺节点下的功耗分析.pdf(1.59 MB)

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