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内存选择多样,新一期赛灵思白皮书明确你的选择(DDR,HMC,HBM,BE2,Wide I/O,TCAM)

发布者:jackzhang 时间:2014-11-04 16:07:25

作者:Steve Leibson, 赛灵思战略营销与业务规划总监

 未来半导体存储会为系统设计者提供丰富的选择。如果你正在寻找如何选择这些技术的帮助,您可以参考“The Rise of Serial Memory and the Future of DDR”(免费下载),这周发布的新一期赛灵思白皮书,作者是Tamara Schmitz。白皮书讨论了内存市场走向和目前明确的市场领导者DDR3,也讨论了DDR3可能的继承者,包括:
• 混合储存立方体(HMC)
• MoSys带宽引擎2(BE2)
• 高带宽储存器(HBM)
• 三态内容寻址储存器(TCAM)

(注意:赛灵思UltraScale器件能支持所有的储存器类型。)

UltraScale器件

原文链接:
http://forums.xilinx.com/t5/Xcell-Daily-Blog/Memory-choices-abound-and-n...

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