内存选择多样，新一期赛灵思白皮书明确你的选择(DDR,HMC,HBM,BE2,Wide I/O,TCAM)

作者：Steve Leibson, 赛灵思战略营销与业务规划总监

 未来半导体存储会为系统设计者提供丰富的选择。如果你正在寻找如何选择这些技术的帮助，您可以参考“The Rise of Serial Memory and the Future of DDR”（免费下载），这周发布的新一期赛灵思白皮书，作者是Tamara Schmitz。白皮书讨论了内存市场走向和目前明确的市场领导者DDR3，也讨论了DDR3可能的继承者，包括：
• 混合储存立方体（HMC）
• MoSys带宽引擎2（BE2）
• 高带宽储存器（HBM）
• 三态内容寻址储存器（TCAM）

（注意：赛灵思UltraScale器件能支持所有的储存器类型。）

原文链接：
http://forums.xilinx.com/t5/Xcell-Daily-Blog/Memory-choices-abound-and-n...

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